VELIKI ISKORAK

Samsung radi na novoj memoriji koja bi ujedinila RAM brzinu i SSD kapacitet

Stručnjaci u Samsungu će predstaviti otkrića na ovogodišnjem Međunarodnom sastanku o elektronskim uređajima (IEDM).

Samsung radi na novoj memoriji koja bi ujedinila RAM brzinu i SSD kapacitet
Depositphotos

Samsung je koristio napredne računalne modele kako bi ubrzao razvoj SOM memorije (Selector-Only Memory), nove tehnologije koja bi spojila RAM  brzinu i SSD kapacitet.

Nadovezujući se na ranija istraživanja u ovom području, SOM se temelji na cross-point memorijskim arhitekturama, sličnima fazno-promjenjivoj memoriji i otpornom RAM-u (RRAM), gdje se koriste složeni nizovi elektroda. Uobičajeno, ove arhitekture zahtijevaju tranzistor ili diodu kao odabirač (eng. selector) kako bi se adresirale specifične memorijske ćelije i spriječili neželjeni električni putevi.

Pritom, Samsung je uveo inovativan pristup istraživanjem materijala na bazi halkogenida, koji služe i kao odabirač i kao memorijski element, uvodeći novi oblik nepostojane memorije.

Stručnjaci u Samsungu će predstaviti otkrića na ovogodišnjem Međunarodnom sastanku o elektronskim uređajima (IEDM), koji se održava od 7. do 11. prosinca u San Franciscu. Južnokorejski tehnološki gigant će raspravljati o tome kako je istražio širok raspon halkogenidnih materijala za SOM primjene.

Navodi se i da je studija obuhvatila više od 4000 kombinacija materijala, koje su sužene na 18 obećavajućih kandidata korištenjem računalnih modela temeljenih na Ab-initio metodi. Fokus je bio na poboljšanju odstupanja napona praga i optimizaciji memorijskog "prozora" - a to su dva ključna faktora u performansama SOM-a.

Tradicionalna istraživanja SOM-a bila su ograničena na upotrebu halkogenidnih sustava Ge, As i Se, prisutnih u OTS-u (ovonic threshold switches). No, Samsung tvrdi da mu je sveobuhvatan proces modeliranja omogućio šire istraživanje, uzimajući u obzir karakteristike vezivanja, toplinsku stabilnost i pouzdanost uređaja zbog poboljšanja performansi i efikasnosti.

U dodatnoj IEDM prezentaciji, navodi se i da će istraživači iz IMEC-a raspravljati o mogućim atomskim mehanizmima, kao što su lokalno preuređenje atomske veze i atomska segregacija, koji bi mogli objasniti način rada komponenti odabirača u SOM-u, dodatno utječući na prag napona, važan faktor u performansama memorije.